氣相沉積爐是利用了加熱離子體激勵(lì)或光輻射等方法，讓氣態(tài)的或者蒸汽狀態(tài)的化學(xué)物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)，并以原子態(tài)沉積在適當(dāng)?shù)奈恢玫囊r底上。從而形成了所需要的固態(tài)薄膜或是涂層的過(guò)程。

 氣相沉積爐反應(yīng)室的壓力、氣體的流動(dòng)速率、晶片的溫度等反應(yīng)中間起的作用都是沉積參數(shù)的變化范圍，所以考慮到沉積薄膜中的變數(shù)、以及沉積速率決定著反應(yīng)室的產(chǎn)出量，反應(yīng)生成的膜不僅會(huì)沉積在晶片上，也會(huì)沉積在反應(yīng)室的其他部件上，所以對(duì)反應(yīng)室進(jìn)行徹底清洗的程度也是重要。

氣相沉積爐是傳統(tǒng)的制備薄膜的技術(shù)，它的原理就是利用氣態(tài)的先驅(qū)反應(yīng)物，通過(guò)原子、分子間的化學(xué)反應(yīng)，在晶片上形成薄膜。氣相沉積能夠生產(chǎn)出具備高質(zhì)量高純度以及高強(qiáng)度等優(yōu)點(diǎn)的材料，因此在半導(dǎo)體行業(yè)很受歡迎。